IRF6892STR1PBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRF6892STR1PBF

IRF6892STR1PBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.1V @ 50µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	DIRECTFET™ S3C
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	1.7 mOhm @ 28A, 10V
功率耗散（最大）:	2.1W (Ta), 42W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	DirectFET™ Isometric S3C
其他名稱:	IRF6892STR1PBF-ND SP001526954
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IRF6892STR1PBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	2510pF @ 13V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	25nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 25V 28A (Ta), 125A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ S3C
漏極至源極電壓（Vdss）:	25V
描述:	MOSFET N-CH 25V 28A S3
電流 - 25°C連續排水（Id）:	28A (Ta), 125A (Tc)
Email:	[email protected]