IRF6706S2TR1PBF
IRF6706S2TR1PBF
型號:
IRF6706S2TR1PBF
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
18104 Pieces
數據表:
IRF6706S2TR1PBF.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2.35V @ 25µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:DIRECTFET S1
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:3.8 mOhm @ 17A, 10V
功率耗散(最大):1.8W (Ta), 26W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:DirectFET™ Isometric S1
其他名稱:IRF6706S2TR1PBFCT
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:IRF6706S2TR1PBF
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1810pF @ 13V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:20nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 25V 17A (Ta), 63A (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
漏極至源極電壓(Vdss):25V
描述:MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
電流 - 25°C連續排水(Id):17A (Ta), 63A (Tc)
Email:[email protected]

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