IPZ60R041P6FKSA1 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IPZ60R041P6FKSA1

IPZ60R041P6FKSA1

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4.5V @ 2.96mA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TO247-4
系列:	CoolMOS™ P6
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	41 mOhm @ 35.5A, 10V
功率耗散（最大）:	481W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-247-4
其他名稱:	SP001313878
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	8 Weeks
製造商零件編號:	IPZ60R041P6FKSA1
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	8180pF @ 100V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	170nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 600V 77.5A (Tc) 481W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
漏極至源極電壓（Vdss）:	600V
描述:	MOSFET N-CH 600V TO247-4
電流 - 25°C連續排水（Id）:	77.5A (Tc)
Email:	[email protected]