購買 IPL65R660E6AUMA1與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 3.5V @ 200µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | Thin-Pak (8x8) |
系列: | CoolMOS™ E6 |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
功率耗散(最大): | 63W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 4-PowerTSFN |
其他名稱: | SP000895212 |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 12 Weeks |
製造商零件編號: | IPL65R660E6AUMA1 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 440pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 23nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 650V 7A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount Thin-Pak (8x8) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
描述: | MOSFET N-CH 4VSON |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 7A (Tc) |
Email: | [email protected] |