IPL65R1K0C6SATMA1 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IPL65R1K0C6SATMA1

IPL65R1K0C6SATMA1

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	3.5V @ 150µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	Thin-PAK (5x6)
系列:	CoolMOS™ C6
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	1 Ohm @ 1.5A, 10V
功率耗散（最大）:	34.7W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-PowerVDFN
其他名稱:	SP001163084
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	12 Weeks
製造商零件編號:	IPL65R1K0C6SATMA1
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	328pF @ 100V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	15nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 650V 4.2A (Tc) 34.7W (Tc) Surface Mount Thin-PAK (5x6)
漏極至源極電壓（Vdss）:	650V
描述:	MOSFET N-CH 8TSON
電流 - 25°C連續排水（Id）:	4.2A (Tc)
Email:	[email protected]