IPD50N06S409ATMA1 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IPD50N06S409ATMA1

IPD50N06S409ATMA1

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 34µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TO252-3
系列:	OptiMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	9 mOhm @ 50A, 10V
功率耗散（最大）:	71W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:	IPD50N06S4-09 IPD50N06S4-09-ND SP000374321
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IPD50N06S409ATMA1
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	3785pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	47nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
漏極至源極電壓（Vdss）:	60V
描述:	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
電流 - 25°C連續排水（Id）:	50A (Tc)
Email:	[email protected]