購買 IPD30N06S4L23ATMA2與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.2V @ 10µA |
---|---|
Vgs(最大): | ±16V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PG-TO252-3-11 |
系列: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 23 mOhm @ 30A, 10V |
功率耗散(最大): | 36W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | IPD30N06S4L23ATMA2TR SP001028638 |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 26 Weeks |
製造商零件編號: | IPD30N06S4L23ATMA2 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1560pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 21nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 60V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
描述: | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |