購買 IPB049N06L3GATMA1與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.2V @ 58µA |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PG-TO263-2 |
系列: | OptiMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
功率耗散(最大): | 115W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
其他名稱: | IPB049N06L3 G IPB049N06L3 G-ND IPB049N06L3 GTR-ND SP000453056 |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | IPB049N06L3GATMA1 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 8400pF @ 30V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 50nC @ 4.5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 60V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
描述: | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |