購買 GA20JT12-247與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | - |
---|---|
技術: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
供應商設備封裝: | TO-247AB |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 70 mOhm @ 20A |
功率耗散(最大): | 282W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-247-3 |
其他名稱: | 1242-1188 GA20JT12247 |
工作溫度: | 175°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 18 Weeks |
製造商零件編號: | GA20JT12-247 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | - |
FET型: | - |
FET特點: | - |
展開說明: | 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB |
漏極至源極電壓(Vdss): | 1200V (1.2kV) |
描述: | TRANS SJT 1.2KV 20A |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |