FQD4N25TM_WS - Fairchild/ON Semiconductor - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 FQD4N25TM_WS

FQD4N25TM_WS

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	5V @ 250µA
Vgs（最大）:	±30V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	D-Pak
系列:	QFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	1.75 Ohm @ 1.5A, 10V
功率耗散（最大）:	2.5W (Ta), 37W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:	FQD4N25TM_WS-ND FQD4N25TM_WSTR FQD4N25TMWS
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	6 Weeks
製造商零件編號:	FQD4N25TM_WS
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	200pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	5.6nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 250V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount D-Pak
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	250V
描述:	MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
電流 - 25°C連續排水（Id）:	3A (Tc)
Email:	[email protected]