FQD1N80TM
FQD1N80TM
型號:
FQD1N80TM
製造商:
Fairchild/ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15834 Pieces
數據表:
1.FQD1N80TM.pdf2.FQD1N80TM.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 FQD1N80TM的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的FQD1N80TM購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 FQD1N80TM與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:5V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:D-Pak
系列:QFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:20 Ohm @ 500mA, 10V
功率耗散(最大):2.5W (Ta), 45W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:FQD1N80TM-ND
FQD1N80TMTR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:6 Weeks
製造商零件編號:FQD1N80TM
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:195pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:7.2nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 800V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):800V
描述:MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
電流 - 25°C連續排水(Id):1A (Tc)
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求