FQD19N10TM
FQD19N10TM
型號:
FQD19N10TM
製造商:
Fairchild/ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12851 Pieces
數據表:
1.FQD19N10TM.pdf2.FQD19N10TM.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 250µA
Vgs(最大):±25V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:D-Pak
系列:QFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:100 mOhm @ 7.8A, 10V
功率耗散(最大):2.5W (Ta), 50W (Tc)
封装:Original-Reel®
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:FQD19N10TMDKR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:6 Weeks
製造商零件編號:FQD19N10TM
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:780pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:25nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 100V 15.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
描述:MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
電流 - 25°C連續排水(Id):15.6A (Tc)
Email:[email protected]

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