購買 FQA11N90_F109與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±30V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | TO-3PN |
| 系列: | QFET® |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 960 mOhm @ 5.7A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 300W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封裝/箱體: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Through Hole |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 28 Weeks |
| 製造商零件編號: | FQA11N90_F109 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3500pF @ 25V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 94nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 900V 11.4A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 900V |
| 描述: | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 11.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |