FGB30N6S2DT - Fairchild/ON Semiconductor - 晶體管 - IGBT - 單 FGB30N6S2DT - BYCHIPS

FGB30N6S2DT

型號:: FGB30N6S2DT

製造商:: Fairchild/ON Semiconductor

描述:: IGBT 600V 45A 167W TO263AB

無鉛狀態/ RoHS狀態:: 無鉛/符合RoHS

庫存數量:: 13981 Pieces

數據表:: FGB30N6S2DT.pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2.5V @ 15V, 12A
測試條件:	390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	6ns/40ns
開關能量:	55µJ (on), 100µJ (off)
供應商設備封裝:	TO-263AB
系列:	-
反向恢復時間（trr）:	46ns
功率 - 最大:	167W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:	FGB30N6S2DT_NL FGB30N6S2DT_NL-ND
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	FGB30N6S2DT
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	-
柵極電荷:	23nC
展開說明:	IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB
描述:	IGBT 600V 45A 167W TO263AB
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	108A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	45A
Email:	[email protected]

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