FDD850N10L
FDD850N10L
型號:
FDD850N10L
製造商:
Fairchild/ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17401 Pieces
數據表:
FDD850N10L.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-252, (D-Pak)
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:75 mOhm @ 12A, 10V
功率耗散(最大):50W (Tc)
封装:Original-Reel®
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:FDD850N10LDKR
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:6 Weeks
製造商零件編號:FDD850N10L
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1465pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:28.9nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 100V 15.7A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
描述:MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
電流 - 25°C連續排水(Id):15.7A (Tc)
Email:[email protected]

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