EPC2030ENGR - EPC - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 EPC2030ENGR - BYCHIPS

EPC2030ENGR

型號:: EPC2030ENGR

製造商:: EPC

描述:: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE

無鉛狀態/ RoHS狀態:: 無鉛/符合RoHS

庫存數量:: 15486 Pieces

數據表:: EPC2030ENGR.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 16mA
技術:	GaNFET (Gallium Nitride)
供應商設備封裝:	Die
系列:	eGaN®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	2.4 mOhm @ 30A, 5V
功率耗散（最大）:	-
封装:	Tray
封裝/箱體:	Die
其他名稱:	917-EPC2030ENGR
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	EPC2030ENGR
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1900pF @ 20V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	18nC @ 5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 40V 31A (Ta) Surface Mount Die
漏極至源極電壓（Vdss）:	40V
描述:	TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
電流 - 25°C連續排水（Id）:	31A (Ta)
Email:	[email protected]

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