購買 EPC2029與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 12mA |
|---|---|
| Vgs(最大): | +6V, -4V |
| 技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 供應商設備封裝: | Die |
| 系列: | eGaN® |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 3.2 mOhm @ 30A, 5V |
| 功率耗散(最大): | - |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | Die |
| 其他名稱: | 917-1107-2 |
| 工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商零件編號: | EPC2029 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1410pF @ 40V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 13nC @ 5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 80V 48A (Ta) Surface Mount Die |
| 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 5V |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 80V |
| 描述: | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 48A (Ta) |
| Email: | [email protected] |