購買 EPC2029ENGRT與BYCHPS
購買即有保證
| VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 12mA |
|---|---|
| 技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 供應商設備封裝: | Die |
| 系列: | eGaN® |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 3.2 mOhm @ 30A, 5V |
| 功率耗散(最大): | - |
| 封装: | Original-Reel® |
| 封裝/箱體: | Die |
| 其他名稱: | 917-EPC2029CENGRDKR 917-EPC2029CENGRDKR-ND 917-EPC2029CENGRTDKR 917-EPC2029CENGRTDKR-ND 917-EPC2029ENGRDKR |
| 工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商零件編號: | EPC2029ENGRT |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1400pF @ 40V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 13nC @ 5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 80V 31A (Ta) Surface Mount Die |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 80V |
| 描述: | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 31A (Ta) |
| Email: | [email protected] |