EPC2012 - EPC - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 EPC2012 - BYCHIPS

EPC2012

型號:: EPC2012

製造商:: EPC

描述:: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE

無鉛狀態/ RoHS狀態:: 無鉛/符合RoHS

庫存數量:: 15514 Pieces

數據表:: EPC2012.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 1mA
技術:	GaNFET (Gallium Nitride)
供應商設備封裝:	Die
系列:	eGaN®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	100 mOhm @ 3A, 5V
功率耗散（最大）:	-
封装:	Cut Tape (CT)
封裝/箱體:	Die
其他名稱:	917-1017-1
工作溫度:	-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	EPC2012
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	145pF @ 100V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	1.8nC @ 5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die
漏極至源極電壓（Vdss）:	200V
描述:	TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
電流 - 25°C連續排水（Id）:	3A (Ta)
Email:	[email protected]

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