購買 EPC2010CENGR與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 3mA |
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技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
供應商設備封裝: | Die Outline (7-Solder Bar) |
系列: | eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 25 mOhm @ 12A, 5V |
功率耗散(最大): | - |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | Die |
其他名稱: | 917-EPC2010CENGRTR |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | EPC2010CENGR |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 380pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 3.7nC @ 5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 200V 22A (Ta) Surface Mount Die Outline (7-Solder Bar) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
描述: | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 22A (Ta) |
Email: | [email protected] |