CSD17309Q3 - Texas Instruments - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 CSD17309Q3

CSD17309Q3

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	1.7V @ 250µA
Vgs（最大）:	+10V, -8V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	8-VSON (3.3x3.3)
系列:	NexFET™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	5.4 mOhm @ 18A, 8V
功率耗散（最大）:	2.8W (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-PowerTDFN
其他名稱:	296-27250-2
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	12 Weeks
製造商零件編號:	CSD17309Q3
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1440pF @ 15V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	10nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 30V 20A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	3V, 8V
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET N-CH 30V 60A 8SON
電流 - 25°C連續排水（Id）:	20A (Ta), 60A (Tc)
Email:	[email protected]