CSD13302W - Texas Instruments - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 CSD13302W

CSD13302W

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	1.3V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	4-DSBGA
系列:	NexFET™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	17.1 mOhm @ 1A, 4.5V
功率耗散（最大）:	1.8W (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	4-UFBGA, DSBGA
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	12 Weeks
製造商零件編號:	CSD13302W
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	862pF @ 6V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	7.8nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA
漏極至源極電壓（Vdss）:	12V
描述:	MOSFET N-CH 12V 1.6A
電流 - 25°C連續排水（Id）:	1.6A (Ta)
Email:	[email protected]

型號	製造商	描述	查看
CSD13385F5	Texas Instruments	MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR	在線詢價
CSD13302WT	Texas Instruments	CHANNEL NEXFET POWER MOSFET	在線詢價
CSD13380F3T	Texas Instruments	12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET	在線詢價
CSD13306WT	Texas Instruments	MOSFET N-CH 12V 6DSBGA	在線詢價
CSD13380F3	Texas Instruments	MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR	在線詢價
CSD13303W1015	Texas Instruments	MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA	在線詢價
CSD13201W10	Texas Instruments	MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA	在線詢價
CSD13383F4	Texas Instruments	MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR	在線詢價
CSD13383F4T	Texas Instruments	MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR	在線詢價
CSD13306W	Texas Instruments	MOSFET N-CH 12V 3.5A	在線詢價
CSD13381F4	Texas Instruments	MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR	在線詢價
CSD13381F4T	Texas Instruments	MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR	在線詢價
CSD13385F5T	Texas Instruments	12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE	在線詢價