C3M0280090J
C3M0280090J
型號:
C3M0280090J
製造商:
Cree
描述:
MOSFET N-CH 900V 11A
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12316 Pieces
數據表:
C3M0280090J.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 C3M0280090J的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的C3M0280090J購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 C3M0280090J與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3.5V @ 1.2mA
Vgs(最大):+18V, -8V
技術:SiCFET (Silicon Carbide)
供應商設備封裝:D2PAK-7
系列:C3M™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:360 mOhm @ 7.5A, 15V
功率耗散(最大):50W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:8 Weeks
製造商零件編號:C3M0280090J
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:150pF @ 600V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:9.5nC @ 15V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 900V 11A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):15V
漏極至源極電壓(Vdss):900V
描述:MOSFET N-CH 900V 11A
電流 - 25°C連續排水(Id):11A (Tc)
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求