購買 C3M0280090J與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 3.5V @ 1.2mA |
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Vgs(最大): | +18V, -8V |
技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝: | D2PAK-7 |
系列: | C3M™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
功率耗散(最大): | 50W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 8 Weeks |
製造商零件編號: | C3M0280090J |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 150pF @ 600V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 9.5nC @ 15V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 900V 11A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 15V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 900V |
描述: | MOSFET N-CH 900V 11A |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 11A (Tc) |
Email: | [email protected] |