C2M0280120D
C2M0280120D
型號:
C2M0280120D
製造商:
Cree
描述:
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15505 Pieces
數據表:
C2M0280120D.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2.8V @ 1.25mA (Typ)
Vgs(最大):+25V, -10V
技術:SiCFET (Silicon Carbide)
供應商設備封裝:TO-247-3
系列:Z-FET™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:370 mOhm @ 6A, 20V
功率耗散(最大):62.5W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-247-3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:8 Weeks
製造商零件編號:C2M0280120D
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:259pF @ 1000V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:20.4nC @ 20V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 1200V (1.2kV) 10A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-247-3
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):20V
漏極至源極電壓(Vdss):1200V (1.2kV)
描述:MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
電流 - 25°C連續排水(Id):10A (Tc)
Email:[email protected]

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