BSO080P03NS3GXUMA1 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 BSO080P03NS3GXUMA1

BSO080P03NS3GXUMA1

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	3.1V @ 150µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-DSO-8
系列:	OptiMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	8 mOhm @ 14.8A, 10V
功率耗散（最大）:	1.6W (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名稱:	BSO080P03NS3 G BSO080P03NS3 G-ND BSO080P03NS3 GTR-ND BSO080P03NS3G SP000472996
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	3 (168 Hours)
製造商標準交貨期:	12 Weeks
製造商零件編號:	BSO080P03NS3GXUMA1
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	6750pF @ 15V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	81nC @ 10V
FET型:	P-Channel
FET特點:	-
展開說明:	P-Channel 30V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
電流 - 25°C連續排水（Id）:	12A (Ta)
Email:	[email protected]