BSC100N03LSGATMA1 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 BSC100N03LSGATMA1

BSC100N03LSGATMA1

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.2V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TDSON-8
系列:	OptiMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	10 mOhm @ 30A, 10V
功率耗散（最大）:	2.5W (Ta), 30W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-PowerTDFN
其他名稱:	BSC100N03LS G BSC100N03LSG BSC100N03LSGINTR BSC100N03LSGINTR-ND BSC100N03LSGXT SP000275117
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	BSC100N03LSGATMA1
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1500pF @ 15V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	17nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 30V 13A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
電流 - 25°C連續排水（Id）:	13A (Ta), 44A (Tc)
Email:	[email protected]