BSC060P03NS3E G
BSC060P03NS3E G
型號:
BSC060P03NS3E G
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
19695 Pieces
數據表:
BSC060P03NS3E G.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3.1V @ 150µA
Vgs(最大):±25V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TDSON-8
系列:OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:6 mOhm @ 50A, 10V
功率耗散(最大):2.5W (Ta), 83W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-PowerTDFN
其他名稱:BSC060P03NS3E G-ND
BSC060P03NS3EG
BSC060P03NS3EGATMA1
SP000472984
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:16 Weeks
製造商零件編號:BSC060P03NS3E G
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:6020pF @ 15V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:81nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特點:-
展開說明:P-Channel 30V 17.7A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):6V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
描述:MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
電流 - 25°C連續排水(Id):17.7A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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