BSC042N03S G - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 BSC042N03S G

BSC042N03S G

簡單介紹

BYCHIPS是 BSC042N03S G的现货代理商，我們有庫存立即運輸，也可供長時間供應。請寄給我們您的BSC042N03S G購買計劃通過電子郵件，我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。

購買 BSC042N03S G與BYCHPS

購買即有保證

VGS（TH）（最大）@標識:	2V @ 50µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TDSON-8
系列:	OptiMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	4.2 mOhm @ 50A, 10V
功率耗散（最大）:	2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-PowerTDFN
其他名稱:	BSC042N03S G-ND BSC042N03SGINTR BSC042N03SGXT SP000056191
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	3 (168 Hours)
製造商零件編號:	BSC042N03S G
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	3660pF @ 15V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	28nC @ 5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 30V 20A (Ta), 95A (Tc) 2.8W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
電流 - 25°C連續排水（Id）:	20A (Ta), 95A (Tc)
Email:	[email protected]