APTM120H29FG
APTM120H29FG
型號:
APTM120H29FG
製造商:
Microsemi
描述:
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17978 Pieces
數據表:
1.APTM120H29FG.pdf2.APTM120H29FG.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 APTM120H29FG的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的APTM120H29FG購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 APTM120H29FG與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:5V @ 5mA
供應商設備封裝:SP6
系列:POWER MOS 7®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:348 mOhm @ 17A, 10V
功率 - 最大:780W
封装:Bulk
封裝/箱體:SP6
其他名稱:APTM120H29FGMI
APTM120H29FGMI-ND
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Chassis Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:22 Weeks
製造商零件編號:APTM120H29FG
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:10300pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:374nC @ 10V
FET型:4 N-Channel (H-Bridge)
FET特點:Standard
展開說明:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP6
漏極至源極電壓(Vdss):1200V (1.2kV)
描述:MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
電流 - 25°C連續排水(Id):34A
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求