購買 APTM120DA30CT1G與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 5V @ 2.5mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | SP1 |
系列: | POWER MOS 8™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 360 mOhm @ 25A, 10V |
功率耗散(最大): | 657W (Tc) |
封装: | Bulk |
封裝/箱體: | SP1 |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Chassis Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 22 Weeks |
製造商零件編號: | APTM120DA30CT1G |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 14560pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 560nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 1200V (1.2kV) 31A 657W (Tc) Chassis Mount SP1 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 1200V (1.2kV) |
描述: | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 31A |
Email: | [email protected] |