購買 APTC60DAM35T1G與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 3.9V @ 5.4mA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | SP1 |
| 系列: | - |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 35 mOhm @ 72A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 416W (Tc) |
| 封装: | Bulk |
| 封裝/箱體: | SP1 |
| 工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Chassis Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商零件編號: | APTC60DAM35T1G |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 14000pF @ 25V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 518nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 600V 72A 416W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
| 描述: | MOSFET N-CH 600V 72A SP1 |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 72A |
| Email: | [email protected] |