APT80SM120B - Microsemi Corporation - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 APT80SM120B

APT80SM120B

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 1mA
技術:	SiCFET (Silicon Carbide)
供應商設備封裝:	TO-247
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	55 mOhm @ 40A, 20V
功率耗散（最大）:	555W (Tc)
封装:	Bulk
封裝/箱體:	TO-247-3
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	22 Weeks
製造商零件編號:	APT80SM120B
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	-
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	235nC @ 20V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247
漏極至源極電壓（Vdss）:	1200V (1.2kV)
描述:	POWER MOSFET - SIC
電流 - 25°C連續排水（Id）:	80A (Tc)
Email:	[email protected]