APT29F100B2
APT29F100B2
型號:
APT29F100B2
製造商:
Microsemi
描述:
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12075 Pieces
數據表:
APT29F100B2.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 APT29F100B2的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的APT29F100B2購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 APT29F100B2與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:5V @ 2.5mA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:T-MAX™ [B2]
系列:POWER MOS 8™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:440 mOhm @ 16A, 10V
功率耗散(最大):1040W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-247-3 Variant
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:22 Weeks
製造商零件編號:APT29F100B2
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:8500pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:260nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 1000V (1kV) 30A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):1000V (1kV)
描述:MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
電流 - 25°C連續排水(Id):30A (Tc)
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求