購買 AOV11S60與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4.1V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 4-DFN-EP (8x8) |
系列: | aMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 500 mOhm @ 3.8A, 10V |
功率耗散(最大): | 8.3W (Ta), 156W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 4-VSFN Exposed Pad |
其他名稱: | 785-1683-2 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 3 (168 Hours) |
製造商標準交貨期: | 16 Weeks |
製造商零件編號: | AOV11S60 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 545pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 11nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 600V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
描述: | MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 650mA (Ta), 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |