“這是許多其他放大器專注於這一領域的少數放大器，這是高壓產品漫長道路的開端，”TI精密放大器產品經理Marco Gardner告訴Electronics Weekly。

與此同時，該公司宣布推出具有高電流輸出的32V 900MHz CMOS電流反饋放大器，用於驅動重負載（見下文）。

在工作電壓下降的世界中，為什麼要採用新的高壓工藝？

“在電動和混合動力汽車中，48V左右有很多電壓，需要進行大量的信號調節，”Gardener說。 “在工業中，有很多傳感器節點遠離它們的讀取器，這涉及長電纜暴露於閃電引起的瞬態和靜電放電。你仍然需要感知小電壓，但可靠地通過所有這些干擾。“

OPA2810 是一款具有5.7nV /√Hz噪聲的27V 120MHz軌到軌輸入和輸出jfet運算放大器，由Gardener描述為“用於數據處理和數據採集的非常好的工具箱放大器”。

室溫輸入偏移為500μV，電流消耗為3.6mA - 後者允許Gardener聲稱“在120MHz工作的> 12V jfet放大器中具有同類最佳帶寬/ Iq”。

在前端選擇Jfets，輸入偏置電流低於雙極晶體管，沒有CMOS輸入的噪聲損失。 “Jfet在高阻抗傳感器中得到了很多應用 - 例如，在高分辨率醫療數據採集中，”Gardener說。

OPA189 根據Gardener的說法，它是一款36V'零漂移'放大器 - 業界最寬帶寬零漂移放大器，工作頻率為14MHz;“比其他任何可用產品都快3-5倍”。

漂移在3μV偏移時實際為0.02μV/°C，在-40到+ 125°C之間最大偏移為4μV，根據Gardener的說法，只能測量，因為噪聲足夠低，不會埋沒它。

他補充說，內部是一種新的拓撲，達到5.2nV /√Hz，“非常接近線性放大器”。 “非常適合輸入模塊和測試與測量。”

它是否具有某些零漂移放大器的異常噪聲曲線？

“不，用這種技術，噪音與線性放大器非常相似，”Gardener說。而且，他補充說，這可能有助於克服一些不僅僅是TI認為是一個問題的問題：硬件工程師對採用零漂移器件的沉默，儘管它們具有固有的微觀輸入偏移。

“很多硬件工程師都不願意使用零漂移，”Gardener說。 “很多時候放大器很慢，或者噪聲遠遠超過20nV /√Hz。有了這個，您可以輕鬆設計出線性放大器，減少或消除校準需求。“

什麼是拓撲？

具有多個校正路徑的專有混合拓撲結構，所有Gardener都準備好說專利情況是最終的。

其他規格為：20V /μs壓擺率，1.1μs從10V步進穩定至0.01％，並消耗1.3mA靜態。

CMOS放大器同時宣布上述兩個雙極發射器是在現有的32V CMOS工藝而不是新的BiCom上製造的，並且很高興任何人設計信號發生器的核心因為 THS3491 是一款900MHz電流反饋放大器，具有±420mA輸出，可在200MHz時將10Vp-p驅動至100Ω。

“這是測試和測量的最先進技術，”Garnener說，“非常適合功能發生器輸出級，也適用於驅動激光二極管，它看起來像一個高電流高電容負載。”

50Ω函數發生器輸出級驅動> 100MHz ..

它可以實現過度拍攝 <1.5% for a 10V step, and rise and fall times of <1.3 ns.

..這個輸出失真

峰值輸出電流> 500mA，允許驅動大容性負載，輸出擺幅為28Vp-p至100Ω，±16V電壓軌。

壓擺率為8,000V，有兩種封裝選擇，一種3x3mm QFN和一種SOIC，均可進行散熱，以實現高功率輸出。也就是說，結至環境熱阻分別為44和49°C / W，因此並非所有輸出電流和電壓組合都可以使用很長時間。

“新設計受益於使用VQFN-16封裝的最低失真，而8pin HSOIC封裝使現有的THS3091或THS3095設計升級，因為較低的輸出裕量可在±15V電源上提供更多的輸出擺幅，”TI表示。

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