SIA439EDJ-T1-GE3
SIA439EDJ-T1-GE3
型號:
SIA439EDJ-T1-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
16193 Pieces
數據表:
SIA439EDJ-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:1V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PowerPAK® SC-70-6 Single
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:16.5 mOhm @ 5A, 4.5V
功率耗散(最大):3.5W (Ta), 19W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:PowerPAK® SC-70-6
其他名稱:SIA439EDJ-T1-GE3TR
工作溫度:-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:24 Weeks
製造商零件編號:SIA439EDJ-T1-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:2410pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:69nC @ 8V
FET型:P-Channel
FET特點:-
展開說明:P-Channel 20V 28A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
漏極至源極電壓(Vdss):20V
描述:MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
電流 - 25°C連續排水(Id):28A (Tc)
Email:[email protected]

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