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PDTD123ES,126
PDTD123ES,126
型號:
PDTD123ES,126
製造商:
NXP Semiconductors / Freescale
描述:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
16369 Pieces
數據表:
PDTD123ES,126.pdf
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簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:50V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:300mV @ 2.5mA, 50mA
晶體管類型:NPN - Pre-Biased
供應商設備封裝:TO-92-3
系列:-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:2.2k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:2.2k
功率 - 最大:500mW
封装:Tape & Box (TB)
封裝/箱體:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
其他名稱:934059143126
PDTD123ES AMO
PDTD123ES AMO-ND
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度（MSL）:1 (Unlimited)
製造商零件編號:PDTD123ES,126
頻率 - 轉換:-
展開說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
描述:TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:40 @ 50mA, 5V
電流 - 集電極截止（最大）:500nA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:500mA
Email:[email protected]

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