IPB120N06N G
IPB120N06N G
型號:
IPB120N06N G
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
14125 Pieces
數據表:
IPB120N06N G.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 94µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TO263-2
系列:OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:11.7 mOhm @ 75A, 10V
功率耗散(最大):158W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:IPB120N06N G-ND
IPB120N06NGINTR
IPB120N06NGXT
SP000204176
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:IPB120N06N G
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:2100pF @ 30V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:62nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 60V 75A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
漏極至源極電壓(Vdss):60V
描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
電流 - 25°C連續排水(Id):75A (Tc)
Email:[email protected]

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