BSZ042N04NSGATMA1 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 BSZ042N04NSGATMA1

BSZ042N04NSGATMA1

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 36µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TSDSON-8
系列:	OptiMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	4.2 mOhm @ 20A, 10V
功率耗散（最大）:	2.1W (Ta), 69W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-PowerVDFN
其他名稱:	BSZ042N04NS G BSZ042N04NSG BSZ042N04NSGINTR BSZ042N04NSGINTR-ND BSZ042N04NSGXT SP000388300
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	BSZ042N04NSGATMA1
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	3700pF @ 20V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	46nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 40V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
漏極至源極電壓（Vdss）:	40V
描述:	MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
電流 - 25°C連續排水（Id）:	40A (Tc)
Email:	[email protected]